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化学气相沉积设备
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化学气相沉积设备
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产品描述
参数
PECVD 是借助微波或射频的方法将目标气体进行电离，在局部形成化学活性很强的等离子体，利用等离子体的活性来促进化学反应在较低的温度下进行，从而在基片上沉积出所期望的薄膜。这种CVD 因借助于等离子体的活性，故称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。其主要优点有：沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织结构致密、针孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。
PECVD 在集成电路中应用广泛，主要用来沉积SiO2、SiNx、SiOxNy、APF、TEOS、FSG 和FSG 等多种介电材料薄膜。
AP/LPCVD 分别指的是在常压/低压条件下通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。APCVD主要沉积的薄膜有：氧化硅、PSG、BPSG 等介电材料薄膜，而LPCVD 主要沉积的薄膜有：氮化硅薄膜、多晶硅薄膜、非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜等。
HiPE是自主设计研发的产品系列。设备可实现所有相关介质薄膜的沉积，可以满足客户多种多样的技术要求。
特点：
可以定制化工艺需求，满足客户工艺要求
准确的参数设置和调节
灵活友好的操作系统
低的运行成本，以及小的占地面积
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