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刻蚀是半导体晶圆制造中的关键步骤,在半导体制造中重要性凸显。
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  刻蚀是半导体晶圆制造中的关键步骤,在半导体制造中重要性凸显。半导体制造主要步骤包括光刻、刻蚀、以及薄膜沉积三大步骤,并且不断循环进行,以构造出复杂精细的电路结构。而这三个环节工艺的先进程度也直接决定了晶圆厂生产高制程产品的能力,以及芯片的应用性能。

  刻蚀的材质包括硅及硅化物、氧化硅、氮化硅、金属及合金、光刻胶等。通过有针对性的对特定材质进行刻蚀,才能使得晶圆制造不同的步骤所制造的电路之间相互影响降至最低,使芯片产品具有良好的性能。针对不同的材质, 我们公司设计的不同的机型来满足客户的需求:

  HiPY-PL, 硅刻蚀机
  HiPY-OX,介质刻蚀机
  HiPY-MT,金属刻蚀机

  HiPY系列是芯源科创自主知识产权的刻蚀产品。可以满足200mm,300mm的关键刻蚀工艺需求。采用先进的等离子技术,配备了多频射频源,优化了上电极气流分布以及下电极温控系统。

特点:
  多组不同频率的射频系统,有利于工艺的调节和控制

  分区进气系统特殊设计,可以支持不同的工艺调节

  静电吸盘多区域冷却设计, 提升工艺均匀度的调节

  关键尺寸控制和均匀度调节

  低的运行成本,以及小的占地面积

  

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